收费全文 | 4880046篇 |
免费 | 334417篇 |
国内免费 | 187236篇 |
电工技术 | 265603篇 |
技术理论 | 150篇 |
综合类 | 273731篇 |
化学工业 | 692251篇 |
金属工艺 | 234906篇 |
机械仪表 | 264173篇 |
建筑科学 | 282086篇 |
矿业工程 | 116236篇 |
能源动力 | 136421篇 |
轻工业 | 397046篇 |
水利工程 | 101857篇 |
石油天然气 | 151296篇 |
武器工业 | 36867篇 |
无线电 | 527525篇 |
一般工业技术 | 593425篇 |
冶金工业 | 570247篇 |
原子能技术 | 64966篇 |
自动化技术 | 692913篇 |
2023年 | 42866篇 |
2022年 | 93342篇 |
2021年 | 142241篇 |
2020年 | 106323篇 |
2019年 | 87895篇 |
2018年 | 105582篇 |
2017年 | 116428篇 |
2016年 | 107291篇 |
2015年 | 128767篇 |
2014年 | 175392篇 |
2013年 | 276582篇 |
2012年 | 285860篇 |
2011年 | 324049篇 |
2010年 | 290657篇 |
2009年 | 289709篇 |
2008年 | 295949篇 |
2007年 | 287296篇 |
2006年 | 262737篇 |
2005年 | 220642篇 |
2004年 | 159867篇 |
2003年 | 125266篇 |
2002年 | 116728篇 |
2001年 | 104712篇 |
2000年 | 99717篇 |
1999年 | 85540篇 |
1998年 | 146675篇 |
1997年 | 104852篇 |
1996年 | 86891篇 |
1995年 | 70043篇 |
1994年 | 60773篇 |
1993年 | 53363篇 |
1992年 | 36150篇 |
1991年 | 32263篇 |
1990年 | 31505篇 |
1989年 | 30202篇 |
1988年 | 27827篇 |
1987年 | 24684篇 |
1986年 | 23828篇 |
1985年 | 25443篇 |
1984年 | 21972篇 |
1983年 | 20120篇 |
1982年 | 19028篇 |
1981年 | 19390篇 |
1980年 | 18584篇 |
1979年 | 16634篇 |
1978年 | 16108篇 |
1977年 | 22726篇 |
1976年 | 33599篇 |
1975年 | 13992篇 |
1974年 | 12870篇 |
The effect of Co, Pd and Pt ultrathin films on the kinetics of the formation of Ni-silicide by reactive diffusion is investigated. 50 nm Ni/1 nm X/ 50 nm Ni (X?=?Co, Pd, Pt) deposited on Si(100) substrates are studied using in-situ and ex-situ measurements by X-ray diffraction (XRD). The presence of Co, Pd or Pt thin films in between the Ni layers delays the formation of the metal rich phase compared to the pure Ni/Si system and thus these films act as diffusion barriers. A simultaneous silicide formation (δ-Ni2Si and NiSi phases) different from the classic sequential formation is found during the consumption of the top Ni layer for which Ni has to diffuse through the barrier. A model for the simultaneous growth in the presence of a barrier is developed, and simulation of the kinetics measured by XRD is used to determine the permeability of the different barriers. Atom probe tomography (APT) of the Ni/Pd/Ni system shows that the Pd layer is located between the Ni top layer and δ-Ni2Si during the silicide growth, in accordance with a silicide formation controlled by Ni diffusion through the Pd layer. The effect of the barrier on the silicide formation and properties is discussed.
相似文献